个人简介：冀东，香港中文大学（深圳）理工学院助理教授，博士生导师。在加入香港中文大学（深圳）之前，冀东在美国英特尔公司从事硅芯片架构工作。冀东于2017年在加州大学戴维斯分校获得博士学位。博士毕业后，冀东在斯坦福大学从事博士后研究。冀东博士的研究集中在宽带隙半导体材料及器件。过去十年中，冀东博士发表期刊以及会议论文50余篇。冀东曾获得美国英特尔先进存储部门Fearless奖、加州大学戴维斯分校最佳博士论文奖。

      摘要：硅基器件以及服务了半导体行业超过60年，给世界带来了革命性的改变。然而，随着新型应用的崛起，例如物联网、下一代通信网络、人工智能等，硅基器件已无法满足对高效率、低功耗的要求，新型半导体材料与器件的研发成为必然。在电力电子领域，以碳化硅和氮化镓为代表的宽禁带半导体材料成为过去二十年的研发重点。其中，基于氮化镓异质结结构的高电子迁移率晶体管被认为是在中低压范围内取代硅基功率器件的有力竞争者，随着政府与产业界的大力投入，氮化镓高电子迁移率晶体管已经成功的在中低压范围内表现出诸多优势。然而，截至目前，市场上的氮化镓功率器件都采用了异质衬底，这对于器件的长期稳定性带来了挑战。过去五年，随着各国研究机构对氮化镓自支撑衬底的大力开发，使得氮化镓同质外延技术得到迅速发展，这将从根本上解决氮化镓器件长期稳定性的问题。同质外延技术同时也带来了新型器件架构，即垂直型氮化镓器件。垂直型器件被认为是氮化镓在中高压范围应用的理想结构，其拥有高电流密度、高耐压能力、高稳定性等特征。本演讲将重点阐述垂直型氮化镓器件的发展以及未来的研究方向。