个人简介：华佑南在1994年获得新加坡国立大学物理学系博士学位，之后在国际主要晶圆大厂新加坡特许半导体（现在的格芯GlobalFoundries）工作，1995--2013年担任失效分析实验室总监。 2014年他加入胜科纳米（新加坡）担任副总裁/首席运营官。他是半导体晶圆制造、工艺和器件故障分析方面的专家。发表了360多篇学术论文和专利。在半导体晶圆制造、封装测试和失效分析领域具有深厚的学术造诣，尤其在晶圆制造的前端工艺、GOI失效分析方法的研发和铝焊盘抗污染和腐蚀的先进晶圆工艺方面具有深厚的学术造诣，在后端制程工艺方面具有国际领先水平。他也积极从事和关心教育，现在担任新加坡国立大学教育顾问委员会成员（MSE）和新加坡国立大学/南洋理工大学/新加坡科技设计大学/新加坡经济发展局/胜科纳米（新加坡）博士导师（IPP）。

       摘要：X-射线能谱（EDS）、X-射线光电子能谱（XPS）和俄歇电子能谱（AES）分析技术是非常有用的分析技术，已经被广泛应用在材料分析和失效分析中，特别是半导体集成电路设计、晶圆制造和现代封装测试等领域。然而随着半导体芯片尺寸的越来越小，已经达到7-5nm，甚至3-2nm，对材料分析和失效分析技术要求也就越来越高。在本邀请报告中，我们将与大家一起深入探讨这三种分析技术的理论和应用研究，并通过一些应用实例，共享这三种分析技术在集成电路晶圆制造和现代封装测试中的应用经验。特别对三种分析技术的优缺点和应用场景做比较。帮助失效分析和质量管理人员如何选择合适的分析技术，以提高材料分析和失效分析的准确度和精度，从而提升半导体集成电路晶圆制造和先进封装测试工艺的良率。我们将特别提出“EDS清洁是不清洁的，Auger清洁则是清洁的”的概念。

       个人简介：张希文，现为日立科学仪器（北京）有限公司销售支援部经理。于2012年8月加入日立高新技术（上海）国际贸易有限公司北京分公司，担任日立电子显微镜售后服务技术支持工作，并于同年赴日本工厂进行为期半年的生产技术培训，经过培训详细学习了日立电子显微镜的设计理念，生产流程，技术特点等；2013年回国后继续担任日立电镜售后服务技术支持工作，并同时担任日立电镜产品售前技术支持工作。2016年开始负责日立聚焦离子束在中国的推广工作并同时负责日立电子显微镜相关产品的技术支持以及相关人员技术培训等工作。2021年日立高新技术电子显微镜部门及分析产品部门与原天美高新公司整合，成立日立科学仪器（北京）有限公司，继续在新的公司负责日立聚焦离子束及部分企业客户的技术支持工作。

       摘要：日立公司拥有包括扫描电镜，透射电镜，FIB，原子力显微镜以及NP等众多产品，可在半导体生产制造，缺陷检测，封装检测等领域提供完整的解决方案。日立的场发射电镜具有超高分辨观察，超高稳定性等特点，在半导体领域有很好的口碑。在半导体样品观察分析中，FIB以及NP的利用越来越多，特别是在最先进制程中，这两个设备是分析测试实验室中不可或缺的设备之一。日立NP以其独特的EVAC功能可帮助客户快速的找到缺陷位置，独特的样品台设计，即使在超大范围内也可轻松找到；双交换仓设计可以更好的保持probe的清洁度等等。日立FIB在TEM样品制备中可提供全手动及全自动的提取功能；还可辅以日立特有的Ar离子束的三束结构，对制备更高精度的样品提供更好的解决方案。

       个人简介：2012年获得上海交通大学材料学博士学位，博士研究镁合金的时效强化及变形机制。2012-2015年间在日本物质材料研究所进行博后工作，研究课题为高强韧镁合金的开发及磁性材料微结构表征，熟悉掌握FIB及纳米操作手。2015年加入牛津仪器，主要负责能谱、EBSD、OP的推广及技术支持。

        摘要：EBSD是一项材料科学中常用的结构分析技术，但其在半导体中的应用却鲜有报道。这主要是因为以往EBSD的灵敏度、分辨率及速度不够所致。现代化的EBSD具有高灵敏性、高取向精度、高速及高分辨率等特点，已经能够快速表征数十纳米的特征尺寸，计算诸如相、晶粒取向及统计等信息，结合EBSD技术的前沿发展，甚至能够通过一次EBSD扫描直接表征出外延片中的位错类型和密度分布，这为解决半导体缺陷、失效提供了新的技术路线。

本报告将围绕EBSD的技术难点，讲述其在半导体中的具体应用。

       个人简介：失效分析经理：有超过15年FA工作经验，聚焦在EFA和PFA领域；资深应用专家：纳米探针测试应用支持 经理：EFA商务拓展及应用支持：负责EFA产品的市场拓展及推广，售前及售后的技术支持，应用培训及应用开发。

       摘要：此报告主要聚焦在半导体失效分析领域，介绍失效分析方法的原理及应用，通过对失效分析流程（从电性失效定位到物性验证）的梳理，针对失效分析工作中常见的问题，结合实际的案例分享，指出分析关键因素，从而帮助提高失效分析的成功率。在半导体领域，赛默飞世尔科技整合了完整的从EFA到PFA的失效分析解决方案。在这个报告中，也将会重点结合设备的性能、分析方法的限制以及应用的经验，助力失效分析成功率的提高。

       个人简历：葛广路，国家纳米科学中心研究员，中国科学院纳米标准与检测重点实验室主任。2001年美国哥伦比亚大学博士，随后在加州大学洛杉矶分校和加州理工学院从事博士后研究。现任国际标准化组织纳米技术委员会纳米材料工作组（ISO/TC229/WG4）召集人，全国纳米技术标准化技术委员会（SAC/TC279）副主任委员，全国标准样品技术委员会（SAC/TC118）副主任委员，中国计量测试学会理事。主要从事纳米测试标准方法和标准样品、纳米尺度界面表征与构效关系研究，主持国家重点研发计划纳米科技重点专项十三五项目“纳米产业技术标准的共性关键科学问题研究（2016YFA0200900）和十四五项目“重要纳米技术应用中关键性能的计量标准研究（2021YFA1202800）”，在Advanced Materials、Small等发表SCI论文80余篇，2013年由科学出版社出版译著《纳米技术标准》，2018年获国际电工委员会IEC 1906奖。主持和联合主持7项ISO/IEC国际标准和16项国家标准，与国内优势企业合作，在锂电材料理化测试和量子点光学表征领域形成了国际标准、国家标准、标准样品的体系，推动了我国纳米材料的上下游对接和国际认可。

        摘要：测试标准保证纳米材料测试数据的可靠一致，是纳米产业的重要支撑。ISO、IEC、ASTM等国际标准组织的纳米技术委员会积极开展检测标准制定，针对碳纳米管、量子点、金属纳米粒子等材料体系，围绕电子显微镜、扫描探针显微镜、光散射、拉曼光谱、单粒子ICP-MS等技术，制定了多项理化特性测试标准，提高了方法可比性和数据准确性，加深了对纳米测量不确定度的认识。我国自十一五起就以国家重大科学研究计划、重点研发专项等形式支持了纳米检测方法标准化研究。在此基础上，我国主导了碳纳米管金属杂质测定、量子点吸收光谱表征等30余项ISO/IEC国际标准，研制50余项标准物质和样品，提升了该领域的水平和国内企业参与国际标准的能力。本报告分析纳米检测技术标准化的挑战，总结国内外动态，并展望该领域发展趋势。

       个人简介：黄承梁，卡尔蔡司（上海）管理有限公司显微镜部门业务发展经理，负责蔡司显微镜在半导体、显示、电子等行业的业务开发拓展，为客户提供创新解决方案。在美国加州大学尔湾分校（UC Irvine）毕业后，主要从事半导体电性失效分析、物性失效分析和计量学等相关工作，拥有丰富的半导体先进制程的失效分析经验和电镜、FIB、纳米探针系统应用开发及客户支持经验。

       摘要：随着新能源车、5G、物联网等领域的快速发展，化合物半导体正在引领着下一次半导体革新。它们通常有高击穿电场、直接带隙、高电子迁移率的优势。正因为这些特殊的材料性质，化合物半导体能够补足硅材料遇到的限制，并在这些领域发挥特性。尽管生产技术一直在改进，化合物半导体往往还有着更高的晶体缺陷密度，及更高的生产成本。蔡司全系列的显微镜设备和针对半导体的软件解决方案不仅能帮助衬底和外延制造商识别并分析化合物半导体晶圆中的晶体缺陷和形貌缺陷，也为功率、光电等芯片制造商提供器件和封装的失效分析解决方案。

       个人简介：西安电子科技大学博士，中科院半导体博士后，教授级高级工程师，第六届CASA第三代半导体卓越创新青年；安徽“第三代半导体材料与器件”产业创新团队带头人；安徽省技术领军人才；芜湖市战略新兴产业优秀人才；国际IEC及SEMI化合物标准会委员；全国半导体器件、全国半导体材料标准委员会委员。从事碳化硅材料和器件研制和产业化；承担多项国家级、省级科研重大项目；申请国家专利100余项；编制多项国际、国家标准、行业标准以及团体标准。发表论文40余篇。

       摘要：当前碳化硅材料中还存在多种数量的缺陷（包括基矢面位错、螺位错、刃位错、层错、三角形缺陷、滴落物缺陷等）以及氧化层中的缺陷，造成碳化硅器件成品率低下和性能不稳定，甚至影响长期可靠性。在研究过程中，如何准确的表征缺陷，对缺陷控制工程来说至关重要。本报告主要介绍碳化硅中的主要缺陷和相关缺陷表征技术，并介绍缺陷对器件性能、可靠性的影响。

       个人简介：罗锋，南开大学材料科学与工程学院/电子信息与光学工程学院讲席教授。罗锋现任南开大学材料科学与工程学院讲席教授，西安交通大学兼职讲座教授(2018-2020)。1995 年至 2004 年就读于北京大学化学与分子工程学院，获学士和博士学位。2004年至 2009年在德国和瑞士从事博后工作，2009年至2010年在北京大学工学院担任PI特聘研究员。2010年至2020年就职于西班牙高等研究院纳米研究所，历任副研究员、研究员、终身制资深研究教授，2020 年至今就职于南开大学，先后入选欧盟玛丽居里学者、西班牙杰出青年基金、西班牙 I3 杰出教授、第十五批国家重大人才项目等，目前担任深圳综合粒子研究院科创委委员，深圳产业光源集成电路板块顾问，上海光源用户委员会委员，兰州航空集成电路与新材料研究院理事。

       摘要：针对Sub-7nm以下先进工艺节点中涉及的新材料和新器件，以及相关的失效检测方法，重点围绕光刻，刻蚀，沉积等集成电路装备的现状和研发趋势和技术挑战，系统介绍团队在此领域的相关工作与布局。

       个人简介：李爱国，上海光源副主任，博士生导师，上海光源成像与工业应用研究部主任，国家重大工程“上海光源线站工程”的成像分总体负责人，上海光源BL15U微聚焦线站负责人。从事同步辐射硬X射线微纳实验技术发展和应用研究工作，担任科技部重点研发计划项目负责人，发表论文近100篇。

       摘要：随着集成电路器件结构从2D转向3D结构转变，工艺流程不成熟带来的缺陷和应变会引起器件力学和电学性能的失效，传统的破坏性分析手段往往难以真实还原出真实情况，则需要纳米级无损分析方法进行表征。近些年，同步辐射表征技术的不断发展，使得集成电路内部结构的无损表征成为可能。这里我们将介绍几种同步辐射表征技术发展，包括：高分辨层叠相干衍射成像、布拉格层叠相干衍射成像、快速纳米CT全场成像以及关键尺寸小角X射线散射等表征技术，可以无损表征和可视化集成电路器件的内部结构及缺陷，进而解析器件结构与其性能之间的关系。

       个人简历：现任湖南越摩先进半导体有限公司总经理，创始人。拥有20年世界一流外企和上市公司从业经验，并创建上市公司华天科技(西安)先进封装产品线。曾任：华天科技西安（002185）研发总监、先进封装研究院院长；通富微电（002156）封装研究院SiP首席科学家；vivo封装研究所所长。国家专利91项，美国专利3项。

       摘要：演讲者将从SiP封装的两个方向异质集成和异构集成共分五个部分，从封装技术面临的挑战到越摩先进产品路线图来系统阐述系统及封装的技术现状、演进方向以及发展趋势。演讲内容还涵盖SiP的传统、混合以及先进封装的一些产品介绍和新技术的底层内部逻辑，同时重点介绍了最近技术热点Chiplet和HPC的发展情况。最后介绍越摩先进今年的一些重点工作内容和规划。

       个人简历：北京大学学士及新加坡国立大学硕士（微电子专业），现任胜科纳米（苏州）有限公司董事长，目前已申请多项发明专利，并发表科技论文60余篇及合著书籍２本。2001年就职于新加坡科研院，2004年创立胜科纳米(新加坡)有限公司，2012年创办胜科纳米(苏州)有限公司，目前已是国内最具规模的半导体芯片分析测试服务平台和辅助研发中心。提出Labless新概念，将产业链中的“必要非核心”研发环节从行业中剥离，成为全新的独立行业赛道。 新加坡资深新闻工作者郑明杉最新著作《头家青春梦》中将李晓旻作为半世纪以来影响行业格局的著名企业家的故事收录其中。2021年5月荣登新加坡《时代财智》5月刊，成为该刊物创刊以来最年轻的封面人物，获得了业界的赞赏和高度认可。

       摘要：胜科纳米深耕半导体全产业链分析测试领域20余年，拥有丰富的失效分析和可靠性分析测试等技术经验与高端实验室运营服务经验。董事长李晓旻先生深谙半导体行业发展规律，前瞻性地提出Labless商业运营理念，有效解决半导体行业设备昂贵、人才短缺的痛点，辅助半导体行业生态的健康发展。深刻分析行业现状，敬畏行业周期，胜科纳米与您分享未来趋势，共创美好明天。